Wie unterscheidet man PNP- und NPN-Transistoren?

1. Die Grundstruktur von PNP- und NPN-Transistoren
PNP-Transistoren bestehen aus zwei P-Typ-Halbleitermaterialien, die ein N-Typ-Halbleitermaterial einschließen, und bilden so eine „PNP“-Anordnungssequenz. In dieser Struktur dient der P-Typ-Bereich als Emitter (E) und Kollektor (C), während der N-Typ-Bereich als Basis (B) dient. PNP-Transistoren ermöglichen den Stromfluss vom Emitter zum Kollektor, wenn sie in Vorwärtsrichtung vorgespannt sind (d. h. die Emitterspannung ist höher als die Basisspannung und die Basisspannung ist höher als die Kollektorspannung).
Im Gegensatz zu PNP-Transistoren bestehen NPN-Transistoren aus zwei N-Typ-Halbleitermaterialien, die ein P-Typ-Halbleitermaterial einschließen, und bilden so eine „NPN“-Anordnungssequenz. Dabei dient der N-Typ-Bereich als Emitter und Kollektor, während der P-Typ-Bereich als Basis dient. NPN-Transistoren ermöglichen den Stromfluss vom Emitter zum Kollektor, wenn sie in Vorwärtsrichtung vorgespannt sind (d. h. die Emitterspannung ist niedriger als die Basisspannung und die Basisspannung ist niedriger als die Kollektorspannung).
2. Unterschiede in den Arbeitsprinzipien
Wenn die Basis eines PNP-Transistors relativ zum Emitter positiv und der Kollektor relativ zur Basis negativ vorgespannt ist, werden Löcher (positive Ladungsträger) im P-Typ-Material des Emitters zum N-Typ-Bereich der Basis gezogen, wodurch ein Basisstrom entsteht. Gleichzeitig überquert ein Teil dieser Löcher den Basis-Kollektor-Übergang und gelangt in den P-Typ-Bereich des Kollektors, wodurch ein Kollektorstrom entsteht. Das Funktionsprinzip von PNP-Transistoren hängt vom Fluss und Rekombinationsprozess der Löcher ab.
Das Funktionsprinzip von NPN-Transistoren basiert auf dem Fluss von Elektronen (negativen Ladungsträgern). Wenn die Basis eines NPN-Transistors relativ zum Emitter positiv vorgespannt ist und der Kollektor relativ zur Basis positiv vorgespannt ist, werden Elektronen im N-Typ-Material des Emitters zum P-Typ-Bereich der Basis gezogen, wo sie sich mit Löchern rekombinieren und einen Basisstrom bilden. Gleichzeitig überqueren einige dieser Elektronen die Basis-Kollektor-Verbindung und gelangen in den N-Typ-Bereich des Kollektors, wodurch ein Kollektorstrom entsteht. NPN-Transistoren erreichen Stromverstärkung und Schaltsteuerung durch den Fluss und die Rekombination von Elektronen.
3. Praktische Methoden zur Unterscheidung von PNP- und NPN-Transistoren
Beachten Sie die Pinbelegung
Obwohl die Verpackungsformen von Transistoren verschiedener Hersteller unterschiedlich sein können, folgt die Pin-Anordnung von PNP- und NPN-Transistoren im Allgemeinen bestimmten Regeln. Bei herkömmlichen Transistoren in TO-92-Gehäusen lautet die Pin-Anordnung von PNP-Transistoren normalerweise (von links nach rechts): Emitter (E), Basis (B), Kollektor (C); Die Pin-Anordnung von NPN-Transistoren lautet normalerweise (von links nach rechts): Emitter (E), Basis (B), Kollektor (C). Diese Regel ist jedoch nicht absolut, sodass in praktischen Anwendungen zur Beurteilung andere Methoden kombiniert werden müssen.
Mit einem Multimeter messen
Ein Multimeter ist eines der direktesten und am häufigsten verwendeten Werkzeuge, um zwischen PNP- und NPN-Transistoren zu unterscheiden. Indem Sie das Multimeter auf den Diodentestmodus (oder einen ähnlichen Modus) einstellen, können Sie den Spannungsabfall zwischen den Pins des Transistors messen, um seinen Typ zu bestimmen. Die spezifische Methode ist wie folgt:
Verbinden Sie die rote Sonde (Pluspol) des Multimeters mit einem der Transistorstifte und die schwarze Sonde (Minuspol) nacheinander mit den beiden anderen Stiften. Beobachten Sie die Messwertänderungen des Multimeters.
Bei PNP-Transistoren sollte das Multimeter einen kleinen Durchlassspannungsabfall (ca. {{0}},6 V bis 0,7 V) anzeigen, wenn die schwarze Sonde den Emitter und die rote Sonde die Basis berührt. Dies bedeutet, dass die Emitter-Basis-Verbindung in einem Durchlasszustand vorgespannt ist. Wenn die schwarze Sonde den Kollektor berührt, sollte der Multimeterwert aufgrund des Sperrvorspannungszustands der Kollektor-Basis-Verbindung nahe unendlich liegen.
Bei NPN-Transistoren ist die Situation umgekehrt. Wenn die rote Sonde den Emitter und die schwarze Sonde die Basis berührt, sollte das Multimeter einen kleinen Durchlassspannungsabfall anzeigen. Wenn die rote Sonde den Kollektor berührt, sollte der Multimeterwert ebenfalls nahe unendlich liegen.
https://www.trrsemicon.com/transistor/pnp-transistor-2sa1020-zu-92mod.html