Transistor

Bipolar -Junction -Transistor (BJT)
Bipolar Junction Transistors are transistors that are built up of 3 regions, the base, the collector, and the emitter. Bipolar Junction transistors, different FET transistors, are current-controlled devices. A small current entering the base region of the transistor causes a much larger current flow from the emitter to the collector region. Bipolar junction Transistoren sind in zwei Haupttypen erhältlich, NPN und PNP . Ein NPN -Transistor ist einer, bei dem die Mehrheit der aktuellen Träger Elektronen sind .

Electron flowing from the emitter to the collector forms the base of the majority of current flow through the transistor. The further types of charge, holes, are a minority. PNP transistors are the opposite. In PNP transistors, the majority of current carrier holes. BJT transistors are available in two types namely PNP und npn .

PNP -Transistor
Dieser Transistor ist eine andere Art von BJT-Bipolar-Junction-Transistoren und enthält zwei P-Typ-Halbleitermaterialien . Diese Materialien werden durch eine dünne N-Typ-Halbleiterschicht . in diesen Transistoren geteilt.

In diesem Transistor gibt das Pfeilsymbol den herkömmlichen Stromfluss . an. Die Richtung des Stromflusses in diesem Transistor ist vom Emitter -Terminal zum Kollektorterminal . Dieser Transistor wird eingeschaltet, sobald der Basisterminal auf niedrigem Vergleich mit dem Emitter -Anschluss .}}}}}}}}}} Der PNP -Transsistor mit einem Symbol.

NPN -Transistor
NPN ist auch eine Art von BJT (Bipolare Junction-Transistoren) und enthält zwei Halbleitermaterialien vom N-Typ, die durch eine dünne P-Typ-Halbleiterschicht . im NPN-Transistor geteilt werden. Formen Sie den Stromfluss innerhalb der Basisklemme des Transistors .

Im Transistor kann die weniger Stromversorgung am Basisterminal eine große Strommenge vom Emitterterminal zum Sammler . zur Verfügung stellen. Die häufig verwendeten BJTs sind NPN -Transistoren, da die Mobilität der Elektronen höher ist, als die Mobilität der Löcher .} Die NPN -Transistor mit einem Symbol mit einem Symbol.

Feldeffekttransistor
Field Effect Transistors are made up of 3 regions, a gate, a source, and a drain. Different bipolar transistors, FETs are voltage-controlled devices. A voltage placed at the gate controls current flow from the source to the drain of the transistor. Field Effect transistors have a very high input impedance, from several mega ohms (Mω) des Widerstands gegen viel, viel größere Werte .

Diese hohe Eingangsimpedanz führt dazu, dass sie nur sehr wenig Strom durch sie durchführen . (nach Ohmsche Gesetz wird der Strom durch den Wert der Impedanz der Schaltung . umgekehrt beeinflusst, wenn der Impedanz hoch ist, der Strom ist sehr niedrig .) So FETS Beide zeichnen einen geringen Strom aus dem Stromkreis, das der Stromkreis aus dem Stromkreis aus dem Stromkreis nur wenig Strom aus dem Stromkreis zeichnet.

Dies ist also ideal, da sie die ursprünglichen Schaltungsleistungselemente, an die sie mit . verbunden sind, nicht stören. Die Stromquelle wird nicht dazu führen, dass die Nutzung von FETs nicht dieselbe Verstärkung liefert, die von bipolaren Transsistoren {. nicht erhalten werden kann, die von bipolaren Transistoren erhalten werden können {.

Bipolare Transistoren sind in der Tatsache überlegen, dass sie eine stärkere Amplifikation liefern, obwohl FETs besser sind, als sie weniger Laden verursachen, billiger sind und leichter zu produzieren {{}} -Feldeffekttransistoren in 2 Haupttypen kommen: JFETS und MOSFETS . JFETS und MOSFETS. verursacht noch weniger Laden in einer Schaltung . FET -Transistoren werden in zwei Typen eingeteilt, nämlich JFET und MOSFET .

Jfet
Der JFET steht für den Transistor .. Dies ist einfach sowie ein anfänglicher Typ von FET-Transistoren, die wie Widerstände, Verstärker, Verstärker usw. verwendet werden. Fluss zwischen Quelle und Abfluss des JFET -Transistors .

Der Transistor des Junction Field Effect (Jugfet oder JFET) hat keine PN-Junctions, aber an seiner Stelle einen schmalen Teil des Halbleitermaterials mit hohem Widerstand, das einen "Kanal" von entweder n-Type oder p-Typ-Silizium-Typen zum Durchfluss der Mehrheit durch die Mehrheit, die mit zwei Ohmic Electrical Verbindungen aufweist, entweder das Abfluss und die Quelle .} {3.} {.}}}} bildet.

There are two basic configurations of a junction field-effect transistor, the N-channel JFET and the P-channel JFET. The N-channel JFET's channel is doped with donor impurities meaning that the flow of current through the channel is negative (hence the term N-channel) in the form of electrons. These transistors are accessible in both P-channel and N-Kanal-Typen .

Mosfet
MOSFET- oder Metal-Oxid-Sämiener-Feld-Effekt-Transistor wird am häufigsten bei allen Arten von Transistoren verwendet. . Wie der Name schon sagt, enthält er das Terminal des Metalltors . Dieser Transistor enthält vier Klemmen wie Quelle, Drain, Gate & Substrat, oder Body {{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{5}
Im Vergleich zu BJT und JFET hat MOSFETs mehrere Vorteile, da es eine hohe I/P-Impedanz sowie eine niedrige O/P-Impedanz bietet. N-Kanal-Typen .