Wissen

Kleinsignal-MOSFET mit ESD-Schutz 2n7002k Der 2n7002k ist ein vielseitiger Kleinsignal-MOSFET, der hervorragenden ESD-Schutz für eine Vielzahl von Anwendungen bietet. Dieses N-Kanal-Vertikal-DMOS-Gerä

Schottky-Barrieregleichrichter SS310 sind hocheffiziente Komponenten mit geringem Leistungsverlust, die sich ideal für die automatisierte Bestückung eignen. Sie bieten im Vergleich zu Standarddioden e

SMA4748 ist eine Art Zenerdiode, die sich mit einer Verlustleistung von 1,0W perfekt für oberflächenmontierte Anwendungen eignet. Diese Dioden werden mit Epitaxietechniken hergestellt und haben einen

Der TL431 ist ein vielseitiger und präziser Shunt-Regler, der eine Vielzahl von Funktionen für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen bietet. Dieser einstellbare Regler hat einen äquivalenten T

Der N-Kanal-MOSFET IRLML0060TRPBF ist ein hocheffizientes Gerät, das für optimale Leistung in einer Reihe von Anwendungen ausgelegt ist. Dieses Gerät verfügt über ein TrenchFET®-Leistungs-MOSFET-Desig

2N2907A-TRANSISTOR: Ein planarer epitaktischer Hochgeschwindigkeits-PNP-Siliziumtransistor Der 2N2907A ist ein planarer epitaktischer Hochgeschwindigkeits-PNP-Siliziumtransistor, der in einer Vielzahl

Leitungseigenschaften des MOS-Transistors Leitung bedeutet, dass er als Schalter fungiert, was dem Schließen des Schalters entspricht. Das Merkmal von NMOS besteht darin, dass Vgs leitet, wenn es eine

Der UC3842-Chip ist ein leistungsstarker Strommodus-Controller mit fester Frequenz. Gängige Hersteller sind: Onsemi Semiconductor, Fairchild Semi, Texas Instruments, Motorola und andere Unternehmen. J

Einführung in das Funktionsprinzip des Thyristors. Die Drehzahlregelung eines Thyristors ist eine Methode zur Änderung des Leitungswinkels des Thyristors, um die Wellenform der Motorklemmenspannung zu

Hauptparameter des Thyristors Der Nennstrom (IT) bezieht sich auf den maximal stabilen Arbeitsstrom, der allgemein als Strom bezeichnet wird. Die IT häufig verwendeter Thyristoren liegt im Allgemeinen

Thyristoreigenschaften 1. Der Durchschnittswert eines 50-Hz-Sinushalbwellenstroms, der unter bestimmten Bedingungen unter Nennstrom IT im Zustandsdurchschnitt kontinuierlich zwischen Anode und Kathode

Die Verpackung hat in etwa folgenden Entwicklungsprozess durchlaufen: Von der Struktur her. ZU → DIP → PLCC → QFP → BGA → CSP. Was die Materialien angeht. Metalle, Keramik, Keramik, Kunststoffe und Ku