Leistungs-MOSFET 10N60

Leistungs-MOSFET 10N60,10N60 DATENBLATT:

Merkmale

Niedriger RDS(ein)

Geringe Gate-Ladung (typ. Qg=31,4 nC)

100 % UIS-geprüft

RoHS-konform

Anwendungen

Leistungsfaktorkorrektur.

Schaltnetzteile.

LED-Treiber.

absolut beste Bewertungen

10N60 MOSFET: Hochleistungs-Leistungstransistoren

Der 10N60 MOSFET ist ein Hochleistungstransistor, der mit modernster planarer VDMOS-Technologie hergestellt wird. Das Ergebnis ist ein Gerät mit geringem Leitungswiderstand, überlegener Schaltleistung und hoher Lawinenenergie.

Eines der Hauptmerkmale dieses MOSFET ist sein niedriger RDS(on), der durch Minimierung von Leistungsverlusten zu einer effizienten Leistungsübertragung beiträgt. Darüber hinaus verfügt er über eine niedrige Gate-Ladung (typisch Qg=31,4 nC), was bedeutet, dass er problemlos mit einem Niederspannungssignal gesteuert werden kann.

Um optimale Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten, wird jeder 10N60-MOSFET zu 100 % auf UIS (Unclamped Inductive Switching) getestet, um sicherzustellen, dass er Hochspannungstransienten sicher standhält und vor Schäden durch unerwartete Spannungsspitzen geschützt ist.

Der 10N60-MOSFET ist RoHS-konform, was bedeutet, dass er keine gefährlichen Stoffe enthält und die von der Europäischen Union festgelegten Umweltstandards erfüllt.

Insgesamt ist der 10N60-MOSFET eine ausgezeichnete Wahl für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen wie Stromversorgungen, Motorsteuerung, Hochfrequenzwechselrichter und andere Industrieanwendungen. Mit seiner überlegenen Leistung und Zuverlässigkeit hilft Ihnen dieser MOSFET mit Sicherheit dabei, optimale Ergebnisse in Ihren Leistungselektronikprojekten zu erzielen.

FRQ:

F: Wie lange ist Ihre Lieferzeit?

A: Die allgemeine Lieferzeit beträgt 1-3 Wochen nach Erhalt Ihrer Auftragsbestätigung. Wenn wir die Ware auf Lager haben, dauert es jedoch nur 1-2 Tage.

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