Beschreibung
10N65 N-KANAL-MOSFET,
ANWENDUNGEN
Hochfrequenz-Schaltnetzteil
Elektronischer Ballast
UPS
MERKMALE
RDS(ON)=0.86Ω @VGS=10 V
Extrem niedrige Gate-Ladung
Schnelle Schaltfähigkeit
Lawinenenergie getestet
Verbesserte dv/dt-Fähigkeit, hohe Robustheit
Beliebte label: 10n65 mosfet, China, Lieferanten, Hersteller, Fabrik, Händler, Angebot, Inventar, Shenzhen, OEM, auf Lager
Ein paar:SI2305 Datenblatt
Der nächste streifen:10N65 MOSFET
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