NPN-TRANSISTOR PBSS8110T

NPN-TRANSISTOR PBSS8110T, PBSS8110T DATENBLATT:

MERKMALE
Komplementärtyp FMMT593

MAXIMALE BEWERTUNGEN (Ta=25 Grad, sofern nicht anders angegeben)
Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 120 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 100 V
VEBO Emitter-Basis Spannung 5 V
IC-Kollektorstrom 1000 mA
Verlustleistung des PC-Kollektors 250 mW
RΘJA Wärmewiderstand von der Verbindung zur Umgebung 500 Grad/W
Tj-Übergangstemperatur 150 Grad
Tstg Lagertemperatur -55-+150 Grad

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25 Grad, sofern nicht anders angegeben)
Parameter Symbol Prüfbedingungen Min Typ Max Einheit
Kollektor-Basis-Durchbruchspannung V(BR)CBO IC=100µA, IE=0 120 V
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung V(BR)CEO IC=10mA, IB=0 100 V

NPN-TRANSISTOR PBSS8110T

Der PBSS8110T ist ein NPN-Transistor, der für den Einsatz in verschiedenen elektronischen Schaltkreisen entwickelt wurde. Er ist ein Komplementärtyp zum FMMT593-Transistor und verfügt über eine Reihe von Funktionen, die ihn ideal für den Einsatz in einer Reihe von Anwendungen machen.

Eines der Hauptmerkmale des PBSS8110T ist seine hohe Kollektor-Basis-Spannung von 120 V. Dies bedeutet, dass er Hochspannungsanwendungen standhält, ohne dass es zu Durchschlägen oder Ausfällen kommt. Darüber hinaus verfügt der Transistor über eine hohe Kollektor-Emitter-Spannung von 100 V, was seine Vielseitigkeit in elektronischen Anwendungen weiter erhöht.

Die Emitter-Basis-Spannung des PBSS8110T beträgt 5 V, was im Vergleich zu anderen Transistoren relativ niedrig ist. Dadurch eignet er sich ideal für Anwendungen, bei denen ein Betrieb mit niedriger Spannung erforderlich ist oder bei denen das Eingangssignal zu niedrig ist, um andere Transistortypen zu aktivieren.
Der PBSS8110T kann einen Kollektorstrom von bis zu 1000 mA verarbeiten und ist daher für den Einsatz in einer Reihe von Hochstromanwendungen geeignet. Darüber hinaus sorgt seine maximale Verlustleistung von 250 mW dafür, dass er auch unter Hochlastbedingungen effizient arbeiten kann.

Als NPN-Transistor wird der PBSS8110T in einer Vielzahl elektronischer Schaltkreise verwendet. Zu den häufigsten Anwendungen zählen Leistungsverstärkerschaltungen, Schaltkreise und Spannungsreglerschaltungen. Er kann auch in Audio- und Videoverstärkerschaltungen, Oszillatoren und anderen elektronischen Geräten verwendet werden.

Der NPN-Transistor PBSS8110T ist eine vielseitige und zuverlässige Komponente, die in einer Vielzahl elektronischer Anwendungen eingesetzt werden kann. Dank seiner hohen Spannungs- und Stromwerte eignet er sich gut für den Einsatz in einer Reihe von Hochleistungsanwendungen. Egal, ob Sie eine neue elektronische Schaltung entwerfen oder einfach einen defekten Transistor ersetzen müssen, der PBSS8110T ist eine ausgezeichnete Wahl.

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