MMBT5551
MMBT5551 ist ein NPN -Bipolartransistor (BJT) mit spezifischen elektrischen Eigenschaften und einer Vielzahl von Anwendungsszenarien.
Beschreibung
Produkteinführung:
Grundmerkmale
MMBT5551 ist ein NPN -Transistor, der für Schaltungskonstruktionen geeignet ist, die NPN -Transistoren fordern.
Mit 160 V zeigt die Kollektoremitterspannung (VCEO), dass der Transistor Rückspannungen von bis zu 160 V widerstehen kann.
Der höchste Kollektorstrom, der für die Verwendung von mittlerer Leistung geeignet ist, beträgt 0,6a.
Die höchste Leistung, die für Anwendungen mit niedriger bis mittlerer Leistung geeignet ist, beträgt 0,3 W.
DC -Stromverstärkung (HFE) von 180 bis 240 zeigt, dass der Transistor eine starke Verstärkungskapazität aufweist.
Die charakteristische Frequenz, die für einige Hochfrequenzanwendungen geeignet ist, beträgt 80 MHz.
Diese kompakte Oberflächenmontage-Verpackung übernimmt die SOT-23-Verpackung für eine Hochdichte-Leiterplatten-Konstruktion.
Normalerweise ist etwa 0,5 V eher niedrig, was den Stromverbrauch senkt und die Effizienz erhöht.
CURT CURRECT (ICEO): Normalerweise im Bereich von Nanoamps-Bereichen zeigt der recht bescheidene Grenzstrom, dass der Leckstrom des Geräts im Grenzzustand ebenfalls eher klein ist.
Bleifreie Materialien: Nach Einhaltung der ROHS-Regeln ist dieses umweltfreundliche Produkt ohne gefährliche Elemente wie Quecksilber und Blei.
Datenblatt:
Verwandte Produkteinführung:
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