Beschreibung
FDD4141 Datenblatt:
FDD4141 Produktdetails
Allgemeine Beschreibung
Dieser P-Kanal-MOSFET wurde mit der proprietären PowerTrench®-Technologie von Fairchild Semiconductor hergestellt, um einen niedrigen rDS(on) und eine optimierte Bvdss-Fähigkeit zu liefern und so einen überlegenen Leistungsvorteil in den Anwendungen zu bieten. und optimierte Schaltleistungsfähigkeit, die Verluste bei der Leistungsabgabe in Konverter-/Wechselrichteranwendungen reduziert.
Merkmale
Max. rDS(on)= 12,3mΩ bei VGS= -10V, ID= -12,7A
Max. rDS(on){{0}},0 mΩ bei VGS= -4,5 V, ID= -10,4 A
Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen rDS(on)
Qualifiziert nach AEC Q101
RoHS-konform
Beliebte label: P-Channel Power Mosfe, China, Lieferanten, Hersteller, Fabrik, Händler, Angebot, Inventar, Shenzhen, OEM, auf Lager
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